东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

发布时间:2020-3-31 10:10    发布者:eechina
关键词: N沟道 , 功率MOSFET
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源


U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡也得到了进一步的改善。因此,新产品可提供业界最低功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

应用:
  • 开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
  • 电机控制设备(电机驱动等)

特性:
  • 业界最低功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡)
  • 业界最低导通电阻:
                RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
                RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
  • 高额定通道温度:Tch=175℃

主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号
绝对
漏源电压VDSS(V)
8080
最大漏极电流(DC)ID(A)@Tc=25℃12034
额定值
通道温度Tch(℃)
175175
电气漏源导通电阻@VGS=10V2.4319
特性RDS(ON)最大值(mΩ)@VGS=6V3.528
 
总栅极电荷(栅源+栅漏)
8716
 
Qg典型值(nC)
 
栅极开关电荷Qsw典型值(nC)
285.5
 
输出电荷Qoss典型值(nC)
9016.5
 
输入电容Ciss典型值(pF)
58701020
封装
名称
SOP AdvanceTSON Advance
尺寸典型值(mm)
5.0×6.03.3×3.3
库存查询与购买


如需了解相关东芝12-300V MOSFET产品线的更多信息,请访问以下网址:


如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:
TPH2R408QM

TPN19008QM

欢迎分享本文,转载请保留出处:http://www.stock-safe.com/thread-582871-1-1.html     【打印本页】
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表
333彩票注册 山东群英会app下载 必威彩票投注 云海彩票投注 红易彩票注册 皇浦彩票平台 中科彩票app 尊十彩票注册 中科彩票开户 明仕彩票官网