东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

发布时间:2019-12-26 10:53    发布者:eechina
关键词: N沟道 , 功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。


MOSFET产品图

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的低导通电阻。

应用:
・汽车设备
电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻:
RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25°C)
器件型号
XPH4R10ANBXPH6R30ANB
极性
N沟道
绝对最大额定值漏源极电压
100
VDSS
(V)
漏极电流7045
(DC)
ID
(A)
漏极电流210135
(脉冲)
IDP
(A)
沟道温度
175
Tch
(℃)
漏源极导通电阻@VGS=6V6.29.5
RDS(ON)最大值
(mΩ)@VGS=10V4.16.3
沟道至外壳热阻
0.881.13
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
(℃/W)
封装
SOP Advance(WF)
产品系列
U-MOSVIII-HU-MOSVIII-H

欢迎分享本文,转载请保留出处:http://www.stock-safe.com/thread-574779-1-1.html     【打印本页】
aoqzsc 发表于 2020-1-3 14:59:20
5G、智能芯片、处理器、模块、散热设计就是那么简单:一贴即可!咨询邮箱:aoqzsc@163.com
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表
奔驰彩票开奖 中科彩票投注 众意彩票开户 网上现金彩票注册 上海11选5 中科彩票平台 博赢彩票app pk10怎么玩 博赢彩票注册 极速快三