东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

发布时间:2019年12月26日 10:12    发布者:eechina
关键词: N沟道 , 功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

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MOSFET产品图

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的低导通电阻。

应用:
・汽车设备
电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻:
RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25°C)

器件型号

XPH4R10ANBXPH6R30ANB

极性

N沟道

绝对最大额定值漏源极电压

100

VDSS
(V)
漏极电流7045
(DC)
ID
(A)
漏极电流210135
(脉冲)
IDP
(A)
沟道温度

175

Tch
(℃)
漏源极导通电阻@VGS=6V6.29.5
RDS(ON)最大值
(mΩ)@VGS=10V4.16.3

沟道至外壳热阻

0.881.13

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

(℃/W)

封装

SOP Advance(WF)

产品系列

U-MOSVIII-HU-MOSVIII-H

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