三极管各极有什么区别,怎么辨认

发布时间:2019年11月01日 15:11    发布者:xunavc
  半导体三极管,也称为晶体管,它是由三层半导体制成的两个PN结组成。从三块半导体上各引出一根导线是晶体管的三个电极,它们分别叫做发射极e,基极b和集电极c。每块对应的半导体称为发射区,基区和集电区。
  从本质上分辨,可以通过分辨发射区,基区,集电区,分辨发射极e,基极b,和集电极c。因为这三个电极都是三极管中各区导线牵出去的。
  发射区和集电区均为N型半导体,不同的是,发射区比集电区掺入的杂质多,在几何尺寸上,集电区的面积要远比发射区的大。而基区在发射区和集电区之间。
  简化电路中一般用“Y"型来表示,一般都会有标识,其中b就是基极,e就是发射极,c是集电极。
  如果没有标识,同样是“Y"交叉处为基极,然后“Y”有箭头出来的是发射极,另一个自然就是集电极了。
  分辨三极管各极的方法大概就是这样了,如果有帮到你的话请投票点赞哦!
  BSO094N03S www.dzsc.com/ic-detail/9_10424.html技术参数
  品牌:INFINEON
  型号:BSO094N03S
  批号:19+
  封装:SOP8
  数量:250000
  系列:OptiMOS??
  包装:带卷(TR)
  零件状态:Digi-Key已不再提供
  FET类型:N沟道
  技术:MOSFET(金属氧化物)
  漏源极电压(Vdss):30V
  电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A(Ta)不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@30?A不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF@15VFET功能:-功率耗散(最大值):1.56W(Ta)不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9.1毫欧@13A,10V工作温度:-55°C~150°C(TJ)安装类型:表面贴装(SMT)供应商器件封装:PG-DSO-8封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
  晶体管极性: N-Channel
  Vds-漏源极击穿电压: 30 V
  Id-连续漏极电流: 10 A
  Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms
  Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
  最小工作温度: - 55 C
  最大工作温度: + 150 C
  Pd-功率耗散: 1.56 W
  配置: Single
  通道模式: Enhancement
  封装: Cut Tape
  封装: Reel
  高度: 1.75 mm
  长度: 4.9 mm
  晶体管类型: 1 N-Channel
  宽度: 3.9 mm
  商标: Infineon Technologies
  下降时间: 4.4 ns
  产品类型: MOSFET
  上升时间: 4.4 ns
  工厂包装数量: 2500
  子类别: MOSFETs
  典型关闭延迟时间: 22 ns
  典型接通延迟时间: 5.4 ns
  零件号别名: BSO094N03SXT
  单位重量: 540 mg


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