MOS管工作原理,就是这么简单

发布时间:2019年10月31日 15:10    发布者:xunavc
  1. MOS管工作原理--MOS管简介
  MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
  2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
  MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
  其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
  3. MOS管工作原理--MOS管的特性
  3.1MOS管的输入、输出特性
  对于共源极接法的电路,源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为0。
  4. MOS管工作原理
  MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
  MOS管的分类
  按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:MOS管又分耗尽型与增强型,所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型沟耗尽型和增强型四大类:N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。
  MOS管应用
  MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机提供了越来越高的画质,成就了更多的“摄影家”。
  MOS管工作原理—参考资料
  1、MOS管的开关损耗-反激式分析
  描述:利用反激式分析MOS管的开关损耗
  2、MOSFET的工作原理
  描述:功率MOSFET的结构和工作原理
  3、MOS、三极管用作开关时的区别联系
  描述:MOS管、三极管用作开关时的区别联系
  BSC080P03LS-G www.dzsc.com/ic-detail/9_10401.html的参数
  制造商零件编号:BSC080P03LS G
  制造商:Infineon Technologies
  描述:MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
  系列:OptiMOS
  FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  FET 功能:逻辑电平门
  漏源极电压 (Vdss):30V
  电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):16A(Ta),30A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):122.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6140pF @ 15V功率 - 最大值:89W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN
  供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  制造商: Infineon
  产品种类: MOSFET
  RoHS:  详细信息
  技术: Si
  安装风格: SMD/SMT
  封装 / 箱体: TDSON-8
  通道数量: 1 Channel
  晶体管极性: P-Channel
  Vds-漏源极击穿电压: 30 V
  Id-连续漏极电流: 16 A
  Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
  Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
  最小工作温度: - 55 C
  最大工作温度: + 150 C
  Pd-功率耗散: 2.5 W
  配置: Single
  通道模式: Enhancement
  商标名: OptiMOS
  封装: Cut Tape
  封装: MouseReel
  封装: Reel
  高度: 1.27 mm
  长度: 5.9 mm
  系列: OptiMOS P
  晶体管类型: 1 P-Channel
  宽度: 5.15 mm
  商标: Infineon Technologies
  下降时间: 108 ns
  湿度敏感性: Yes
  产品类型: MOSFET
  上升时间: 87 ns
  工厂包装数量: 5000
  子类别: MOSFETs
  典型关闭延迟时间: 79 ns
  典型接通延迟时间: 13.5 ns


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